impurity doping

impurity doping
priemaišinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d'impureté, m

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Нужен реферат?

Look at other dictionaries:

  • impurity doping profile — legiravimo priemaišų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant distribution profile; impurity doping profile vok. Störstellendotierungsprofil, n rus. профиль распределения легирующей примеси, m pranc. profil d impureté …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Doping (semiconductor) — In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure (also referred to as intrinsic) semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of… …   Wikipedia

  • doping impurity density — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • doping impurity type — legiravimo priemaišų tipas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant type; doping impurity type vok. Dotierungstyp, m; Störstellentyp, m rus. тип легирующей примеси, m pranc. type de dopage, m; type d impureté dopante, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • doping impurity diffusion — legiravimo priemaišų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping impurity diffusion vok. Störstellendiffusion, f rus. диффузия легирующей примеси, f pranc. diffusion d impureté dopante, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Wafer (electronics) — Polished 12 and 6 silicon wafers. The flat cut into the right wafer indicates its doping and crystallographic orientation (see below) …   Wikipedia

  • Atomtronics — refers to the process of creating analogues to electronic devices and circuits using atoms. When super cooled to form Bose Einstein condensates, atoms placed in an optical lattice may form states analogous to electrons in solid state crystalline… …   Wikipedia

  • Dotierung mit Fremdatomen — priemaišinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • dopage d'impureté — priemaišinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • priemaišinis legiravimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”